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FUN88体育官网中微公司:2021年年度报告摘要!

发布于 2022-09-22 12:51 阅读(

  股分有限公司公司代码:688012 公司简称:中微公司中微半导体装备(上海)股分有限公司2021年年度陈述择要第一节主要提醒1今年度陈述择要来自年度陈述全文,为片面理解本公司的运营功效、财政情况及将来开展计划,投资者该当到网站认真浏览年度陈述全文。

  公司已在陈述中具体形貌能够存在的相干风险,敬请查阅第三节办理层会商与阐发“5、风险身分”部分内容。

  3本公司董事会、监事会及董事、监事、初级办理职员包管年度陈述内容的实在性、精确性、完好性,不存在虚伪纪录、误导性陈说或严重漏掉,并负担个体和连带的法令义务。

  6公司上市时未红利且还没有完成红利□是√否 7董事会决定经由过程的本陈述期利润分派预案或公积金转增股本预案思索到公司今朝处于快速开展期,研发投入等资金需求较大,为更好地保护部分股东的久远长处,公司2021年度不分派利润,本钱公积不转增。

  以上利润分派预案曾经公司第二届董事会第五次集会审议经由过程,该预案尚需公司2021年年度股东大会审议经由过程。

  8能否存在公司管理特别摆设等主要事项□合用√分歧用 第二节公司根本状况1公司简介公司股票简况□合用□分歧用 公司股票简况股票品种股票上市买卖所及板块股票简称股票代码变动前股票简称A股上海证券买卖所科创板中微公司688012分歧用公司存托凭据简况□合用√分歧用 联络人和联络方法联络人和联络方法董事会秘书(信息表露境内代表)证券事件代表姓名刘晓宇胡潇办公地点上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号上海市浦东新区金桥出口加工区(南区)泰华路188号电线陈述期公司次要营业简介(一)次要营业、次要产物或效劳状况陈述期内,公司次要处置高端半导体装备及泛半导体装备的研发、消费和贩卖。

  公司对准天下科技前沿,基于在半导体装备制作财产多年积聚的专业手艺,涉足半导体集成电路制作、先辈封装、LED内涵片消费、功率器件、MEMS制作和其他微观工艺的高端装备范畴。

  公司的等离子体刻蚀装备已使用在国际一线纳米及其他先辈的集成电路加工制作消费线及先辈封装消费线。

  公司MOCVD装备在行业抢先客户的消费线上大范围投入量产,公司已成为天下排名前线的氮化镓基LED装备制作商。

  公司次要为集成电路、LED内涵片、功率器件、MEMS等半导体产物的制作企业供给刻蚀装备、MOCVD装备及其他装备,此中次要产物的详细状况以下:1、刻蚀装备产物种别图示使用范畴电容性等离子体刻蚀装备次要使用于集成电路制作中氧化硅、氮化硅及低介电系数膜层等电介质质料的刻蚀 电理性等离子体刻蚀装备、深硅刻蚀装备次要使用于在集成电路制作中单晶硅、多晶硅和多种介质等质料的刻蚀产物种别图示使用范畴次要使用于CMOS图象传感器、MEMS芯片、2.5D芯片、3D芯片等通孔及沟槽的刻蚀2、MOCVD装备产物种别图示使用范畴MOCVD装备蓝绿光及紫外LED内涵片和功率器件的消费3、其他装备产物种别图示使用范畴VOC装备平板显现消费线等产业用的氛围净化陈述期内,公司主停业务未发作变革。

  (二)次要运营形式1、红利形式公司次要处置半导体装备的研发、消费和贩卖,经由过程向下流集成电路、LED内涵片、先辈封装、MEMS等半导体产物的制作公司贩卖刻蚀装备和MOCVD装备、供给配件及效劳完成支出和利润。

  陈述期内,公司主停业务支出滥觞于半导体装备产物的贩卖,其他支出滥觞于装备相干配件贩卖及装备撑持效劳等。

  按照公司产物成熟度,公司的研发流程次要包罗观点与可行性阶段、Alpha阶段、Beta阶段、量产阶段。

  差别产物研发团队具有各自自力的机器设想、工艺开辟、产物办理和手艺撑持团队,而在电气工程、平台工程、软件工程等方面则接纳同享的方法停止研发撑持。

  经由过程这类矩阵办理的办法,完成了人材、营运等资本在差别的产物及手艺效劳之间灵敏分派,完成同享经历常识,优化资本利用服从,使公司可以快速呼应不竭变革的研发请求,停止连续的手艺立异。

  到达运营天分、研发和设想才能、手艺程度、质量管控才能、消费才能、产物价钱、交货周期及付款周期等浩瀚尺度请求的供给商,才气够被思索归入公司及格供给商名录,并按期考核。

  4、消费形式公司次要接纳以销定产的消费形式,实施定单式消费为主,分离大批库存式消费为辅的消费方法。

  定单式消费是指公司在与客户签署定单后,按照定单状况停止定制化设想及消费制作,以应对客户的差同化需求。

  库存式消费是指公司对装备通用组件或成批量出货装备经常使用组件按照内部需求及消费方案停止预消费,次要为快速呼应交期及均衡产能。

  5、营销及贩卖形式公司采纳直销为主的贩卖形式,因欧洲市场的客户较为分离,公司在该地区经由过程署理商形式停止贩卖。

  公司设有环球营业部卖力公司一切产物的贩卖办理,下设中国、中国、韩国、日本、新加坡、美国等国度或地域的地区贩卖和撑持部分。

  (三)所处行业状况1.行业的开展阶段、根本特性、次要手艺门坎半导体装备行业是一个环球化水平较高的行业,受国际经济颠簸、半导体市场、终端消耗市场需求影响,其开展显现必然的周期性颠簸。

  当宏观经济和终端消耗市场需求变革较大时,客户会调解其本钱性收入范围和对装备的采购方案,从而对公司的停业支出和红利发生影响。

  环球集成电路和以LED为代表的光电子器件的贩卖额合计占一切半导体产物贩卖额的90%以上,是半导体产物最主要的构成部门。

  按照Gartner的猜测,刻蚀装备市场范围将由2020年约123亿美圆增加至2024年约152亿美圆。

  按照Yole的猜测,氮化镓基MOCVD装备市场范围将由2020年1.9亿美圆增加至2025年约2.5亿美圆,功率器件内涵装备市场将由2020年约2亿美圆增加至2025年约3.1亿美圆。

  1、刻蚀装备集成电路装备包罗晶圆制作装备、封装装备和测试装备等,晶圆制作装备的市场范围约占集成电路装备团体市场范围的约80%。

  晶圆制作装备能够分为刻蚀、薄膜堆积、光刻、检测、离子搀杂等品类,此中刻蚀装备、薄膜堆积、光刻装备装备是集成电路前道消费工艺中最主要的三类装备。

  按照Gartner统计,2021年环球刻蚀装备、薄膜堆积和光刻装备别离占晶圆制作装备代价量约21.59%、19.19%和18.52%。

  跟着集成电路芯片制作工艺的前进,线宽枢纽尺寸不竭减少、芯片构造3D化,晶圆制作向7纳米、5纳米和更先辈的工艺开展。

  因为今朝先辈工艺芯片加工利用的光刻机遭到波长限定,14纳米及以下的逻辑器件微观构造的加工多经由过程等离子体刻蚀和薄膜堆积的工艺组合——多重模板工艺来完成,使得刻蚀等相干装备的加工步调增加。

  该财产链中次要触及的装备包罗:衬底加工需求的单晶炉、多线切割机;制作内涵片需求的MOCVD装备;制作芯片需求的光刻、刻蚀、洗濯、检测装备;封装需求的贴片机、固晶机、焊线台和灌胶机等。

  LED内涵片的制备是LED内涵片消费的主要步调,与集成电路在多种中心装备间轮回的制作工艺差别,LED内涵片次要经由过程MOCVD单种装备完成。

  MOCVD装备采购金额普通占LED消费线装备总投入的一半以上,是LED内涵片制作中最主要的装备。

  今朝MOCVD装备次要用于氮化镓基及砷化镓基半导体质料内涵发展,此中氮化镓基LED MOCVD次要用于消费氮化镓基LED和功率器件的内涵片。

  除用于制作通用照明和背鲜明现的蓝光LED,MOCVD装备还可制作使用于高端显现的Mini LED和Micro LED、用于杀菌消毒和氛围净化的紫外LED、使用于电力电子的功率器件,跟着这些新兴范畴的使用拓展及逐渐推行,氮化镓基MOCVD装备的市场范围无望进一步扩展。

  在Mini LED背光及间接显现市场需求的鞭策下,近两年高端显现类的LED内涵片需求量增长较着。

  基于Micro LED的高端显现使用也开端小范围试消费,估计在将来几年将会有更多的市场需求。

  按照TrendForce集邦征询报导,跟着Mini LED背鲜明现浸透率的提拔,和Mini LED间接显现逐步进入商显等市场,Mini/Micro LED新型显现带来的LED内涵片需求量将快速增加。

  2.公司所处的行业职位阐发及其变革状况今朝半导体装备市场次要由西欧、日本等国度的企业所占有。

  在刻蚀装备方面,环球刻蚀装备市场显现把持格式,泛林半导体、东京电子、使用质料占有次要市场份额;公司刻蚀装备已使用于环球先辈的7纳米和5纳米集成电路加工制作消费线。

  在MOCVD装备范畴,公司用于氮化镓基LED内涵消费的MOCVD装备已在行业抢先客户消费线年起曾经成为氮化镓基LED市场份额最大的MOCVD装备供给商,并连续连结在行业内的抢先职位。

  3.陈述期内新手艺、新财产、新业态、新形式的开展状况和将来开展趋向跟着芯片制程的不竭提拔,在每代芯片新手艺上,晶体管体积都在不竭减少,同时芯片机能不竭提拔,先辈的芯片中已有超越100亿个晶体管。

  跟着工艺的提拔,先辈芯片从平面MOSFET构造过渡到FinFET(三维鳍式场效应晶体管)晶体管架构。

  跟着晶体管构造的庞大度不竭提拔,各类半导体装备手艺的立异和打破起到决议化,关于刻蚀和薄膜堆积手艺提出了更高的请求。

  FinFET手艺道路图(滥觞:三星电子) 1、等离子体刻蚀手艺刻蚀能够分为湿法刻蚀和干法刻蚀。

  湿法刻蚀各向同性较差,侧壁简单发生横向刻蚀形成刻蚀偏向,凡是用于工艺尺寸较大的使用,或用于干法刻蚀后洗濯残留物等。

  等离子体刻蚀装备是一种大型真空的全主动的加工装备,普通由多个真空等离子体反响腔和主机通报体系组成。

  等离子体刻蚀装备的分类与刻蚀工艺亲密相干,其道理是操纵等离子体放电发生的带化学活性的粒子,在离子的轰击下,与外表的质料发作化学反响,发生可挥发的气体,从而在外表的质料上加工出微观构造。

  按照发生等离子体办法的差别,干法刻蚀次要分为电容性等离子体刻蚀和电理性等离子体刻蚀;按照被刻蚀质料范例的差别,干法刻蚀次要是刻蚀介质质料、硅质料和金属质料。

  电容性等离子体刻蚀次要是以高能离子在较硬的介质质料上,刻蚀深邃宽比的深孔、沟槽等微观构造;而电理性等离子体刻蚀次要是以较低的离子能量和极平均的离子浓度刻蚀较软的或较薄的质料。

  电容性等离子体刻蚀反响腔 电理性等离子体刻蚀反响腔c 2、刻蚀手艺程度开展情况及将来开展趋向跟着国际上先辈芯片制程从14纳米到10纳米阶段向7纳米、5纳米及更先辈工艺的标的目的开展,当前光刻机受光波长的限定,需求分离刻蚀和薄膜装备,接纳多重模板工艺,操纵刻蚀工艺完成更小的尺寸,使得刻蚀手艺及相干装备的主要性进一步提拔。

  下图展现10纳米多重模板工艺道理,触及屡次刻蚀:10纳米多重模板工艺道理,触及更屡次刻蚀芯片线宽的减少及多重模板工艺等新制作工艺的接纳,对刻蚀手艺的准确度和反复性请求更高。

  刻蚀手艺需求在刻蚀速度、各向同性、刻蚀偏向、挑选比、深宽比、平均性、残留物、等离子体惹起的敏感器件毁伤、颗粒沾污等目标上满意更高的请求,刻蚀装备随之更新前进,比方:刻蚀装备的静电吸盘从本来的4个分区扩大到超越20个分区,以完成更高请求的平均性;更好的腔体温度掌握进步消费反复性。

  2DNAND及3DNAND示企图3、MOCVD装备行业在新手艺方面比年来的开展状况与将来开展趋向制作照明用蓝光LED内涵片的MOCVD手艺已到达较为成熟的阶段,MOCVD装备企业目上次要在进步大范围内涵消费所需的机能、低落消费本钱、具有大尺寸衬底内涵才能等方面停止手艺开辟,以满意下流使用市场的需求。

  公司使用于Mini LED新型显现使用的MOCVD装备已进入批量消费阶段,产物获得超越100腔的定单,曾经批量使用在抢先客户消费线。

  公司使用于Micro LED高端显现的MOCVD装备和使用于碳化硅功率器件的内涵装备还处于研发阶段,后续次要将在提拔产出波长平均性,削减内涵片颗粒度,进步芯片良率等方面停止手艺打破,从而促进产物的不竭前进,提拔装备的主动化机能和大尺寸内涵片加工才能。

  4、LPCVD装备在中前端金属化工艺中的开展情况与将来开展趋向国际海内先辈逻辑器件工艺节点从14nm、7nm向5nm及更先辈工艺标的目的开展,器件互联电阻逐步增大成为影响器件速率的枢纽身分。

  可是在14nm及更先辈工艺节点,金属阻挠层、金属形核层对打仗孔阻值的影响愈来愈较着,怎样削减大概消弭阻挠层和形核层的电阻是低落打仗孔电阻的枢纽。

  跟着3DNAND堆叠层数增长,门路打仗孔的深宽比会到达40:1到60:1以上,这对氮化钛阻挠层的发展和极深邃宽比的钨添补都提出了更高的请求,堆叠层数的进步还需求更具应战性的WL线路添补,包罗更高的深宽比和更长的横向添补。

  5、所属行业在新财产、新业态、新形式方面比年来的开展状况与将来开展趋向半导体在手艺上的不竭打破所带来的使用迭代,改动了很多传统行业亦催生出浩瀚使用,FUN88体育在线如互联网、智妙手机、野生智能、5G等新兴财产。

  野生智能、大数据、可穿着装备、主动驾驶汽车、智能机械人等使用的开展将开释出大批芯片制作的需求,进一步鞭策上游半导体装备行业的稳步增加。

  当前新兴的小间距LED显现在物理拼缝、显现结果、功耗、利用寿命方面均有良好表示,将来跟着Mini LED和Micro LED手艺的进一步开展和完美,LED新型显现财产无望成为继LED照明财产后MOCVD使用财产开展最疾速的版块之一。

  在化合物半导体功率器件范畴,跟着新基建、“碳达峰、碳中和”的政策与计划麋集推出,化合物半导体在干净能源、新能源汽车及充电桩、功率器件快充、大数据中间等使用市场的需求曾经开端显现出快速增加趋向。

  表决权规复的优先股股东及持股数目的阐明无存托凭据持有情面况□合用√分歧用 停止陈述期末表决权数目前十名股东状况表□合用√分歧用 4.2公司与控股股东之间的产权及掌握干系的方框图□合用 √分歧用 4.3公司与实践掌握人之间的产权及掌握干系的方框图□合用 √分歧用 4.4陈述期末公司优先股股东总数及前10名股东状况□合用√分歧用 5公司债券状况□合用√分歧用 第三节主要事项1公司该当按照主要性准绳,表露陈述期内公司运营状况的严重变革,和陈述期内发作的对公司运营状况有严重影响和估计将来会有严重影响的事项。

  □合用 √分歧用 2公司年度陈述表露后存在退市风险警示或停止上市情况的,该当表露招致退市风险警示或停止上市情况的缘故原由。